可控硅工作原理，BT136或137可控硅的工作原理是什么

本文目录一览

1，BT136或137可控硅的工作原理是什么
2，可控硅是怎么整流的
3，可控硅调压原理是什么
4，可控硅励磁工作原理
5，可控硅触发变压器的工作原理是怎样的
6，可控硅工作原理
7，可控硅和可控硅模块

1，BT136或137可控硅的工作原理是什么

BT138是双向可控硅，在两旁供给一点的电流（不管电流方向）左边和之间两个引脚就导通了（有一定的压降）。可控硅一经触发不管触发电流是否存在它都一直导通的，直到电流不能维持可控硅的导通，可控硅才关闭。

BT136或137可控硅的工作原理是什么

2，可控硅是怎么整流的

可控硅整流原理和2极管整流原理基本相同详情参考中国电子diy之家的图文教程

单相可控硅触发导通后，具有和二极管一样的单相导通特性，只要给可控硅提供触发电压，他就起到一个整流二极管的作用。整流原理就不用细说了吧。

可控硅是怎么整流的

3，可控硅调压原理是什么

首先根据反馈信号调节器发出脉冲利用脉冲来控制可控硅导通角来调节电压

可控硅调压，是利用可控硅来控制交流电的导通角。导通角越大输出电压也就越高。

用图中电路控制100—300w的电阻丝，不需要做什么改动，而如果电阻丝的功率上限达到1000w，则应将双向可控硅scr改为10a/600v，其触发电路中的电阻和电位器的取值可经实验确定，一般r的取值范围在1k—10k之间，电位器w的取值在47k—470k之间。这个图纸本身就是实用的可控硅调压装置，scr的大小决定了其可控功率的大小，而电位器w一般也都是外接的，作为调压装置的调整旋钮。

斩波

可控硅调压原理是什么

4，可控硅励磁工作原理

可控硅励磁工作原理：由发电机端部引出一个反应回路，用以控制励磁电流。可控硅励磁工作，暂态稳定讨论电力系统在正常负荷调配(或正常运行操作)及不正常事故中。遭受大的或者具有一定数值的参数变化或负荷变化时，电机是否能够保持同步运行的间题。因此，暂态稳定有时也称为巨变稳定。研究这种问题时，同步电机的基本方程已不能线性化，一般只能利用数值解等方法进行研究。扩展资料：可控硅励磁暂态稳定极限一般均低于静态稳定极限.超过静态稳定极限时，电机根本不能工作，但超过暂态稳定极限时。仍有可能工作，因为故障并不一定经常发生，发生时，也不一定就象我们计算暂态稳定极限时那样严重。可控硅励磁在设计电力系统时，这两种稳定要求都必须予以满足。适用范围出于对电网更高稳定水平的需求，部分电网对系统中小容量机组的励磁系统提出较高要求。参考资料来源：百度百科-可控硅励磁

1、可控硅励磁系统的起励主要依靠初励电流完成。同步发电机在原动机带动下旋转后会产生一定的残余输出电压，由于整流单元的可控硅元件有一定的导通压降，当这个残压较低时，就不能保证同步发电机的自激起励，必须依靠初励电流建立一个低的输出电压保证可控硅元件可靠导通，完成同步发电机建压过程。IEC3自并励磁系统依靠厂用直流合闸电源经起励单元提供初励电流，同步发电机起励时自动投入，当机端电压达到10%时自动解除。2、可控硅励磁只是励磁的一种方式,就是用可控硅调整励磁电流。可控硅励磁的作用就是励磁的作用。

首先可控硅励磁只是励磁的一种方式，可控硅励磁的作用就是励磁的作用。励磁的作用有：1.维持发电机机端电压恒定。2.扩大单元接线多台发电机之间的无功合理分配。3.提高发电机的的静态和动态的稳定性。可控硅励磁，就是通过改变可控硅的触发角，来调节励磁电流的大小，的一种励磁方式。

5，可控硅触发变压器的工作原理是怎样的

1. 可控硅触发变压器的工作原理用于可控硅触发的脉冲变压器就是,某些用于脉冲点火的变压器也是。但这种直流是脉动的，而不是平稳的。 2. 变压器的工作原理是电磁感应原理，即原边交变的电流在铁芯激发交变的磁场，副边的线圈在交变的磁场中产生交变的感应电动势。3. 平稳的直流电不可能有这种“电生磁-磁生电”的持续变换过程。因此，没有直接用于直流电传输的变压器。把交流电转变为直流电叫做“整流”。4. 通常利用具有单向导电性二极管作为整流元件，可以组成半波整流、全波整流、桥式整流、倍压整流等整流电路。将直流电转换为交流电叫做“逆变”。

1.可控硅触发变压器的工作原理用于可控硅触发的脉冲变压器就是,某些用于脉冲点火的变压器也是。但这种直流是脉动的，而不是平稳的。变压器的工作原理是电磁感应原理，即原边交变的电流在铁芯激发交变的磁场，副边的线圈在交变的磁场中产生交变的感应电动势。平稳的直流电不可能有这种“电生磁-磁生电”的持续变换过程。因此，没有直接用于直流电传输的变压器。把交流电转变为直流电叫做“整流”。通常利用具有单向导电性二极管作为整流元件，可以组成半波整流、全波整流、桥式整流、倍压整流等整流电路。将直流电转换为交流电叫做“逆变”。2.难点解答：你所说，不可以，因为没法控制触发电路！可以考虑采用各式各样的触发芯片！如555，TCA785，KJ系统等太多了

通过变压器把电压变到需要的电压，然后用晶闸管进行可控整流，向控整流电路的形式分：单相半波相控整流，单相全控桥式整流，单相半控桥式整流，三相半波相控整流，三相全控桥式整流，三相桥式半控整流，带平衡电抗器双反星形整流等。可控整流的原理为最简单的理解为：当晶闸管的阳极和阴极之间承正向电压并且门极加触发信号晶闸管导通，并且去掉门极的触发信号晶闸管依然维持导通。当晶闸管的阳极和阴极之间承受反向电压并且门极不管加不加触发信号晶闸管关断。

简单的RC触发。单结晶体管触发。

6，可控硅工作原理

鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。 1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。 2、性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏.

7，可控硅和可控硅模块

可控硅实际上就是类似于二极管，但又点不同，就是可控硅是可以控制的，当可控硅加了正向电压，并收到触发脉冲时，才可以导通。下面给你我整理的资料：第二章晶闸管特性介绍晶闸管是实现整流回馈单元的核心器件，故用一章专门来陈述其特性。硅晶体闸流管简称晶闸管，俗称可控硅。它是一种大功率的交流新器件，主要用于大功率的交流电能与直流电能之间的相互转换----将交流电转变为直流电，其输出的直流电具有可控性；将直流电转变为交流电，称为逆变。2.1晶闸管的结构及符号晶闸管主要有：普通型、双向型、可关断型。在晶闸管的整流技术中使用的主要是普通型。普通型晶闸管的结构及符号如下图所示。晶闸管有三个极：阳极A、阴极K、门极G。图中A为阳极，利用它与散热器固定，达到良好散热的目的，另一端是阴极K，细引线为门极G。（a）（b）图2-1 晶闸管的外型及其符号2.2晶闸管的工作原理（a）结构（b）工作原理图2-2 晶闸管工作原理不论哪种结构形式的晶闸管，管芯都是有四层（PNPN）半导体和三端（A、G、K）引线构成。因此它有三个PN结，由最外层的P层和N层分别引出阳极和阴极，中间P层引出门极，如上图(a）所示。可以将三个PN结和4层半导体看成是由PNP型和NPN型两个三极管连接而成的，如上图(b）所示，则每个三极管的基极跟另一个三极管的集电极相连接，阳极A相当于V1管的发射极，阴极K相当于V2管的发射极，门极相当于V2管的基极。那么，普通型晶闸管不仅具有硅整流二极管所具有的正向导通，反向截止相似的特性，更重要的是它的正向导通是可以控制的，起这种控制作用的就是门极。2.2.1 门极不加正向电压当晶闸管加上正向电压UA（即阳极接电源正极，阴极接电源负极）时，因为UG=0，虽然V2管集电极上有正向电压，但V2管的基极没有注入电流，所以V2管不能够导通，所以V2管的集电极跟发射极没有电流，即IA=0，而V2管的集电极恰好是V1管的基极，因而V1管无法导通，所以整个晶闸管不能正向导通。当晶闸管加上反向电压的时候，此时V1、V2管的发射极均被加了反向电压，处于反向偏置状态，两个管均截止，晶闸管也处于关断状态。经过上面的分析可以得出以下结论：晶闸管不仅具有反向阻断能力（跟硅整流二极管类似），而且具有正向阻断能力，也就是说，只要不加门极电压，不管晶闸管收到正向电压还是反向电压，晶闸管都将处于截止状态。2.2.2 门极加正向电压当晶闸管加正向电压时，V1、V2管的集电极都处于反向偏置状态。此时给门极加上正向电压，就相当于给V2管的发射极加正向偏置电压，那么V2管导通，同时产生了基极电流IB2，根据放大的关系，V2集电极的电流为β2IB2，而这个电流恰恰是V1管的基极电流IB1（=β2IB2），V管也因此正向导通，其集电极电流为IC1= β1IB1，这股电流又作为V2的基极电流注入V2管使电流进一步得到放大，这样，电流便在两个三极管间形成了强烈的正反馈，使得V1、V2管最终都进入饱和状态，此时，晶闸管便完全导通。2.2.3晶闸管导通后的截止晶闸管导通后，可以看到，V1、V2管的基极始终有电流流过，而此时，即便门极电压取消，晶闸管仍然处于导通状态，此时晶闸管已经失去控制作用，也就是说，门极电压的控制作用仅仅是在晶闸管未完全导通之前。那么，晶闸管导通之后，如何使其关断呢？一是可以减小阳极电流，使其小到不能维持正反馈。二是给晶闸管加一个零电压或反向电压，使得V1、V2管都处于反向截止状态，此时即便存在门极电压，晶闸管也会关断。综合上面的分析，可以得出以下结论：（1）晶闸管具有跟硅整流二极管相似的特性，反向截止，正向导通，而且正向是可以控制的导通，可以通过门极电压来选择晶闸管导通的时刻。（2）晶闸管完全导通后，门极便失去其控制作用。如果想让完全导通的晶闸管关断，必须做到两点：一是使阳极电流减小到无法维持正反馈的地步，二是给阳极加一个零电压或者反向电压。2.3 晶闸管的触发电路要想使晶闸管触发导通，必须给门极加一个正向的触发电压，等晶闸管完全导通后，此电压可有可无，因此可以在恰当的时刻给门极一个触发脉冲。常用的触发电路是单结型晶体管电路，又叫双基极二极管，它有一个发射极，两个基极。制作过程就是在一块高阻率的N型硅基片上做两个接触电阻很小的极。（a）（b）（c) 图2-3 单结晶体管的结构、符号及等效电路单结晶体管的电压电流特性：在Vbb电压一定的时候，用发射极电流ie跟发射极与第一基极之间的电压Ueb1来表示。Ueb1=[Rb1/（Rb1+Rb2）]Vbb=ηVbbη称为单结晶体管的分压系数，由管子的内部结构所决定，通常在0.3-0.9之间。单结晶体管具有以下特点：（1）当发射极电压等于Vp时，晶体管道通，当下降到Vv时，晶体管截止，一般截止电压为2V-5V。（2）单结晶体管第一基极的电阻随发射极电流增大而减小，第二基极的电阻则与电流没多大关系。2-4 单结晶体管电压电流特性常用的单结晶体管触发简化电路（单结晶体管脉冲发生器）：图2-5 单结晶体管振荡电路图2-6 波形图

可控硅模块质量好的公司有北京瑞田达技贸有限责任公司。可控硅工作原理：可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。